英特尔首席执行官表示到2030年英特尔将制造出拥有1万亿个晶体管的芯片

摩尔定律是由仙童半导体公司和英特尔联合创始人戈登·摩尔首先提出的。摩尔定律的最初版本创建于1965年，要求芯片中的晶体管数量每年增加一倍。到了1970年代，摩尔被迫修改了这一观察结果，将其改为晶体管数量每隔一年就会翻一番。英特尔现任首席执行官帕特·基辛格(PatGelsinger)表示，这一速度已经放缓，预计芯片中的晶体管数量每三年就会翻一番。

芯片的晶体管数量很重要，因为数量越多，组件的功能就越强大，能源效率就越高。例如，2019年的iPhone11系列采用7纳米A13仿生芯片组，每个芯片组搭载85亿个晶体管。iPhone15Pro和iPhone15ProMax上使用的3nmA17ProSoC在每个芯片组内具有190亿个晶体管，与A13Bionic相比，在性能和功耗方面有了很大的改进。

据Tom'sHardware报道，在Manufacturing@MIT研讨会上的一次演讲中，Gelsinger宣称摩尔定律“仍然有效”，并指出英特尔可能会在2031年之前超越摩尔定律的步伐。预计英特尔将从台积电和三星手中接过制程领导地位代工厂将于2025年采用A18(1.8纳米)工艺节点，而其他两家代工厂同年将使用2纳米节点来制造尖端芯片。

基辛格在演讲中表示，“我认为我们已经宣布摩尔定律的死亡大约三到四十年了。”虽然这可能是真的，但他确实承认“我们不再处于摩尔定律的黄金时代，现在要困难得多，所以我们现在可能会有效地接近每三年翻一番，所以我们已经肯定会看到放缓。”英特尔首席执行官正在推动“超级摩尔定律”概念，该概念基于使用2.5D和3D芯片封装来增加晶体管数量。基辛格也将此称为“摩尔定律2.0”。

基辛格还表示，到2030年，英特尔可以制造出拥有1万亿个晶体管的芯片。这位首席执行官提到的四件事可以实现这一目标，其中包括RibbonFET晶体管。与SamsungFoundy目前在3nm生产中使用的Gate-All-Around晶体管一样，RibbonFET的栅极覆盖了通道的所有四个侧面，减少了电流泄漏并增加了驱动电流。

PowerVIA电力传输是第二个可能导致芯片拥有万亿个晶体管的因素。通过这种技术，电源线被放置在芯片的背面而不是正面，从而提高了功耗和性能。第三是未来几年即将推出的下一代工艺节点，这将减小晶体管的尺寸，从而允许更多的晶体管安装在芯片内。3D芯片堆叠排在第四位。这是16个或更多集成电路垂直互连以作为单个芯片运行的情况。

格尔辛格还指出，企业的经济状况最近发生了变化。“七八年前，一座现代化晶圆厂的成本约为100亿美元，”他说。“现在，它的成本约为200亿美元，所以你已经看到了经济上的不同转变。”

标签：